RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
18.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3341
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link