RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
9.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1839
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link