RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3091
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link