RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11% выше полоса пропускания
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    18 left arrow 27
    Около -50% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    20.2 left arrow 16.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    16.2 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 18
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.7 left arrow 20.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 16.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2756 left arrow 3536

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM

Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Сравнения RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
модули RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
модули RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
модули RAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
модули RAM