RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB против SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
13.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
13.8
Скорость записи, Гб/сек
10.2
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2088
2073
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link