RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB против SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
13.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
13.8
Скорость записи, Гб/сек
10.2
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2088
2073
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link