RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
85
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.9
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
85
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
11.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
1118
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link