RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3593
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link