RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
15.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3593
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link