RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Avexir Technologies Corporation T 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
34
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
21
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
18.0
Скорость записи, Гб/сек
5.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2801
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link