RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
69
Около 51% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
69
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
5.8
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
1794
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link