RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
12.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2136
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link