RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
71
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
41
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2902
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link