RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
71
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
41
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2902
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link