RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
71
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
41
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2902
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link