RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
34
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
17.1
Скорость записи, Гб/сек
5.8
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3520
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB Сравнения RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link