RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
34
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
31
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
3520
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link