RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
34
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
33
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.8
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2823
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link