RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2113
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link