RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.9
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
24
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
5.8
18.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
4207
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link