RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    33 left arrow 34
    Около -3% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.1 left arrow 8.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.7 left arrow 5.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    34 left arrow 33
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.6 left arrow 18.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.8 left arrow 14.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1682 left arrow 3596

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
модули RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
модули RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
модули RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
модули RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
модули RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
модули RAM