RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2810
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link