RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
26
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
5.8
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link