RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.3
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
25
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
13.3
Скорость записи, Гб/сек
5.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
1617
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link