RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
25
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
1617
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link