RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
5.8
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link