RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Kingston 9905668-001.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
70
Около 51% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.7
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
70
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
9.0
Скорость записи, Гб/сек
5.8
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
1363
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link