RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3673
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link