RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Kingston 9905678-102.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
34
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
5.8
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2504
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link