RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
34
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
32
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
14.1
Скорость записи, Гб/сек
5.8
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2434
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link