RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
34
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2434
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link