RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
5.8
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3634
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link