RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.5
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
16.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
3634
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link