RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
79
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
79
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1850
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.D8FE 2GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link