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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
79
En 65% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
79
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
1850
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
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