RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
28
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3226
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link