RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link