RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
31
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
2813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link