RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3051
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link