RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3051
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link