RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2759
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link