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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2759
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
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AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
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