RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
2327
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link