RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
37
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.3
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
10.3
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2065
2327
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link