RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Comparar
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
37
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.3
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14900
Por volta de 1.29 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
35
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
8.0
Largura de banda de memória, mbps
14900
19200
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2065
2327
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link