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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
比較する
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.9
12.6
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
41
周辺 -46% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.7
9.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
28
読み出し速度、GB/s
13.9
12.6
書き込み速度、GB/秒
9.7
10.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2366
2759
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
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