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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
28
周辺 4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
12.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
10.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11% 高帯域
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
28
読み出し速度、GB/s
16.7
12.6
書き込み速度、GB/秒
11.8
10.7
メモリ帯域幅、mbps
21300
19200
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
2759
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
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