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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
13.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
10.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
46
周辺 -48% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
31
読み出し速度、GB/s
4,937.3
13.5
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
10.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
2330
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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