RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2330
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link