RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2716
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link