RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3297
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link