RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
28
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
3297
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston XN205T-MIE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link